Verileri 1000 yıl saklayabilecek UltraRAM teknolojisi geliyor
2 mins read

Verileri 1000 yıl saklayabilecek UltraRAM teknolojisi geliyor

Lancaster ve Warwick üniversitelerinden uzmanlar tarafından geliştirilen bir bellek teknolojisi olan UltraRAM’in daha etkili bir şekilde geliştirilebilmesi için geçtiğimiz yıl Quinas Technology adında yeni bir girişim kurulmuştu. Şimdi ise UltraRAM’in geliştirilmesinde birlikte görev alan Quinas ve İngiliz yarı iletken şirketi IQE, İngiltere tarafından 1,1 milyon sterlinlik finansman desteğiyle ödüllendirildi. Bu destek, teknolojinin hayata geçirilmesi için önemli.

UltraRAM geliyor

DRAM ve NAND bellek standartlarının avantajlarından yararlanan UltraRAM, geleneksel çözümlere kıyasla 1.000 yıl gibi çok daha uzun bir veri saklama kapasitesi vadediyor. Bunu herhangi bir güç almadan yapabilen yeni bellek bunun yanında 10 milyon yeniden yazma döngüsü sunuyor. UltraRAM aynı zamanda DRAM’e benzer hızlarda yazılıp okunabiliyor.

Öte yandan 1,1 milyon sterlinlik finansman desteği ise İngiliz hükümetinin teknoloji destek ajansı Innovate UK tarafından geliyor. Bu finansman desteğinin esas amacı ise teknolojiyi bir laboratuvar araştırmasından çıkarıp seri üretim aşamasına taşımak. Finansmanın büyük bir kısmı IQE’de katmanlı bileşik yarı iletkenlerin üretimini büyütmek için harcanacak. Burada UltraRAM plakaları (wafer) 3 inç’ten 6 inç’e ölçeklendirilmeye çalışılacak.

UltraRAM bellek teknolojisi elektronların kendi içlerinde hapsolmasına izin veren malzemelerden yapılmış üç farklı katman kullanıyor. Elektron akışını kontrol etmek için katmanların etrafında elektrotlar kullanılarak bellek hücresindeki aşınma ve yıpranmayı en aza indiriliyor ve bu da çok daha fazla yazma döngüsüne yol açıyor. Ancak UltraRAM dediğimiz gibi şimdilik sadece bir prototipten fazlası değil. Büyük umutlar vadetse de tasarımın karmaşıklığı nedeniyle henüz seri üretime geçebilmiş değil. Ancak yeni finansman ve destek ile bu konuda ilerlemenin sağlanması isteniyor.

Bir yanıt yazın

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir